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英特爾公司近日宣布，已獲得美國能源部約1220萬元人民幣的資助，用于研發(fā)能應對2000W以上功耗的下一代數(shù)據(jù)中心散熱技術。據(jù)悉，數(shù)據(jù)中心耗電量約占全美2%，其中冷卻散熱部分最多占數(shù)據(jù)中心耗電量的40％。隨著性能的不斷提升，當前散熱技術只能應對1000W左右功耗，無法滿足未來需求。在未來三年合同期內(nèi)，英特爾將與科研機構和行業(yè)領袖合作，開發(fā)創(chuàng)新的浸沒式散熱技術，包括3D真空腔均熱技術等，并提供散熱測試平臺及形態(tài)規(guī)格定義。與此同時，英特爾還將針對性地研發(fā)下一代處理器，優(yōu)化散熱和能效，提高兩相浸沒式散熱系統(tǒng)的效率至少2.5倍，達到0.01℃/W。

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