SK海力士宣布了其HBM3內(nèi)存的增強(qiáng)版，將數(shù)據(jù)傳輸率提高了25%，因此為使用這種優(yōu)質(zhì)類型DRAM的應(yīng)用提供了相當(dāng)大的性能提升。為人工智能（AI）和高性能計(jì)算（HPC）開發(fā)解決方案的公司將歡迎HBM3E在2024年上市。

金百達(dá)（KINGBANK）32GB(16GBX2)套裝 DDR5 6400 臺(tái)式機(jī)內(nèi)存條海力士A-die顆粒RGB燈條刃系列 C32

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SK海力士的HBM3E內(nèi)存將把數(shù)據(jù)傳輸率從今天的6.40 GT/s提高到8.0 GT/s，這將使每堆帶寬從819.2 GB/s提高到1 TB/s。HBM3E與現(xiàn)有HBM3控制器和接口的兼容性仍不清楚，因?yàn)镾K海力士還沒有透露這方面的技術(shù)細(xì)節(jié)。

SK Hynix計(jì)劃在2023年下半年開始對其HBM3E存儲(chǔ)器進(jìn)行采樣，并在2024年開始大規(guī)模生產(chǎn)。該公司將使用其1b納米制造技術(shù)（該公司第五代10納米級(jí)的DRAM節(jié)點(diǎn)）來生產(chǎn)其HBM3E存儲(chǔ)器。該生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)目前用于制造DDR5-6400 DRAM，這些DRAM被驗(yàn)證用于英特爾的下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)。最終，它還將用于生產(chǎn)LPDDR5T內(nèi)存芯片，用于性能要求高的低功耗應(yīng)用。

"在人們對內(nèi)存市場將從下半年開始復(fù)蘇的期望越來越高的情況下，我們相信我們業(yè)界領(lǐng)先的DRAM技術(shù)，通過這次1bnm工藝的大規(guī)模生產(chǎn)再次得到驗(yàn)證，將幫助我們從下半年開始提高收益，"SK海力士的DRAM開發(fā)主管Jonghwan Kim說。

假設(shè)SK海力士的HBM3E內(nèi)存開發(fā)和量產(chǎn)取得預(yù)期進(jìn)展，SK海力士將擁有一份渴望采購快速HBM3E內(nèi)存的買家名單，用于他們的下一代AI和HPC解決方案。同時(shí)，根據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)，SK海力士已經(jīng)是最大的HBM供應(yīng)商，如果它成為優(yōu)質(zhì)HBM3E內(nèi)存的第一個(gè)供應(yīng)商，將可能加強(qiáng)其地位。

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