(資料圖)
5 月 18 日消息,三星宣布,采用 12 奈米制程工藝的16GB DDR5 DRAM 已經(jīng)開始大量生產(chǎn)。
與上一代產(chǎn)品相比,三星 12 奈米的 DDR5 DRAM 的速率達(dá)到了 7.2Gbps,功耗降低了 23%,同時將晶圓的生產(chǎn)效率提高了 20%。
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根據(jù)三星去年公布的工藝講解,三星在 12 奈米制程技術(shù)上使用了一種新的 high-κ 高介電材料,有助于提高電池電容。而在高電容的情況下,數(shù)據(jù)信號出現(xiàn)明顯的電勢差,更容易進(jìn)行準(zhǔn)確區(qū)分。
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