Intel一直在積極推進四年五代工藝節(jié)點的戰(zhàn)略,2021-2024年間將陸續(xù)投產(chǎn)7、4、3、20A、18A。其中,20A、18A將邁入埃米時代,大致可以理解為相當(dāng)于2nm、1.8nm,表現(xiàn)優(yōu)異。Intel 20A工藝將引入兩種全新的工藝,PowerVia背部供電和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管。
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通過PowerVia技術(shù),傳統(tǒng)位于芯片正面的供電層改到背面,可以降低供電噪聲、電阻損耗,優(yōu)化供電分布,提高整體能效。在即將舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上,Intel將展示基于4工藝的測試芯片,使用PowerVia技術(shù),該芯片采用E核架構(gòu),面積僅為2.9平方毫米,得益于PowerVia技術(shù),利用率超過90%的區(qū)域占據(jù)大部分。此外,PowerVia技術(shù)還帶來超過5%的頻率提升,吞吐時間略高但可接受,功耗發(fā)熱情況符合預(yù)期。除了自家產(chǎn)品,Intel還計劃使用PowerVia技術(shù)為客戶代工,提前展示其能力。
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