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據了解，當今數據生產呈現爆炸式增長，傳統的馮·諾依曼計算架構已成為未來繼續(xù)提升計算系統性能的主要技術障礙。不久前，中國科學院上海微系統信息技術研究所，首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸的相變存儲單元器件。

而相變隨機存取存儲器（PCRAM）可以結合存儲和計算功能，是突破馮·諾依曼計算構架瓶頸的理想路徑選擇。

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PCRAM具有非易失性、編程速度快和循環(huán)壽命長等優(yōu)點，但其中相變材料與加熱電極之間的接觸面積較大，造成相變存儲器操作功耗較高，如何進一步降低功耗成為相變存儲器未來發(fā)展面臨的最大挑戰(zhàn)之一。

中國科學院稱，這是目前國際上首次采用GNR邊緣接觸實現極限尺寸的高性能相變存儲單元，器件尺寸接近相變存儲技術的縮放極限。該新型相變存儲單元的成功研制代表了PCRAM在低功耗下執(zhí)行邏輯運算的進步，為未來內存計算開辟了新的技術路徑。

關鍵詞： 馮·諾依曼 計算架構