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據(jù)了解，當(dāng)今數(shù)據(jù)生產(chǎn)呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)的馮·諾依曼計(jì)算架構(gòu)已成為未來繼續(xù)提升計(jì)算系統(tǒng)性能的主要技術(shù)障礙。不久前，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)信息技術(shù)研究所，首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸的相變存儲單元器件。

而相變隨機(jī)存取存儲器（PCRAM）可以結(jié)合存儲和計(jì)算功能，是突破馮·諾依曼計(jì)算構(gòu)架瓶頸的理想路徑選擇。

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PCRAM具有非易失性、編程速度快和循環(huán)壽命長等優(yōu)點(diǎn)，但其中相變材料與加熱電極之間的接觸面積較大，造成相變存儲器操作功耗較高，如何進(jìn)一步降低功耗成為相變存儲器未來發(fā)展面臨的最大挑戰(zhàn)之一。

中國科學(xué)院稱，這是目前國際上首次采用GNR邊緣接觸實(shí)現(xiàn)極限尺寸的高性能相變存儲單元，器件尺寸接近相變存儲技術(shù)的縮放極限。該新型相變存儲單元的成功研制代表了PCRAM在低功耗下執(zhí)行邏輯運(yùn)算的進(jìn)步，為未來內(nèi)存計(jì)算開辟了新的技術(shù)路徑。

關(guān)鍵詞： 馮·諾依曼 計(jì)算架構(gòu)