(資料圖)

4266MHz頻率的DDR4內(nèi)存并不少，但是能在能做到4266MHz C18同時將電壓控制在1.35V的，大名鼎鼎的三星B-Die不行。

唯一能夠做到的，也許你絕對想象不到，會是國產(chǎn)的長鑫A-Die顆粒！

近段時間，朗科推出了基于長鑫A-Die顆粒的絕影RGB DDR4-4266內(nèi)存，時序CL18-22-22-42，電壓1.35V。

朗科絕影RGB 16GB（2×8GB）DDR4 3200

[經(jīng)銷商]京東商城

[產(chǎn)品售價]419元

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朗科絕影RGB DDR4 4266MHz內(nèi)存的時序和電壓已經(jīng)足夠低了，在這個基礎上，它還擁有令人咋舌的超頻能力，其超頻能力之強，令特挑的三星B-Die也望塵莫及。

當前，如果12代酷睿是追求極致的游戲性能，顯然高頻的DDR4內(nèi)存會是更合適的選擇。

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