近日,據(jù)DigiTimes報(bào)道,傳長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)原定192層技術(shù),直接挑戰(zhàn)232層NAND,并于2022年底量產(chǎn)。
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存儲(chǔ)器相關(guān)業(yè)者指出,如果這一消息屬實(shí),長(zhǎng)江存儲(chǔ)可望趕上其他NAND大廠如三星電子、鎧俠等的腳步,并于2023年將逐步拓展232層NAND產(chǎn)能比重,為全球NAND產(chǎn)業(yè)競(jìng)賽投下重磅炸彈。
據(jù)悉,長(zhǎng)江存儲(chǔ)已推出128層3D NAND閃存,此前有消息稱已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品。
【資料圖】
關(guān)鍵詞: 國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ) 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
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