國(guó)產(chǎn)DRAM領(lǐng)域，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)可謂是一枝獨(dú)秀，它在技術(shù)上的突破與否，直接關(guān)系到國(guó)產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

近日，據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》援引業(yè)內(nèi)人士消息，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的17nm制程成品率初步達(dá)到40%，預(yù)計(jì)將在2022年晚些時(shí)候逐步提高。據(jù)其計(jì)劃，將在2022年下半年將月產(chǎn)量提高到6萬至8萬片12英寸晶圓。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將17nm工藝節(jié)點(diǎn)作為下一代主流制造技術(shù)。該人士認(rèn)為，當(dāng)其17nm制程成品率提高到成熟水平時(shí)，將能夠提高DDR3和DDR4產(chǎn)能，并將在專業(yè)DRAM領(lǐng)域與包括南亞科技和華邦電子在內(nèi)的中國(guó)臺(tái)灣同行展開直接競(jìng)爭(zhēng)。

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關(guān)鍵詞： 長(zhǎng)鑫，國(guó)產(chǎn)DRAM樣品