如今的3D閃存在業(yè)內玩起了蓋樓比賽，去年鎂光的176層堆棧閃存撼動了三星的領先位置，不過，三星打算在今年追回來，其將在今年底明年初推出第八代V-NAND閃存，堆棧層數首次超過200層，之前傳聞是228層，現在的說法是224層，相當于在128層基礎上再堆棧96層。

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據悉，三星的224層閃存性能很不錯，數據速度提升了30%，同時生產效率也提高了30%。

此外，三星的224層閃存技術難度也很高，之前三星是唯一一家使用單堆棧技術實現128層閃存的公司，這次的224層則使用了雙堆棧技術，技術挑戰(zhàn)十分嚴峻。

關鍵詞： 三星閃存，224層