芯研所2月9日消息，據(jù)爆料，三星最快今年底能量產(chǎn)224層堆棧的閃存，性能提升30%。三星的3D閃存V-NAND目前發(fā)展到了第七代，最高176層，原本計劃在去年底量產(chǎn)，但因為NAND閃存價格下滑等因素，三星選擇推遲量產(chǎn)，今年Q1季度才會正式量產(chǎn)，導(dǎo)致技術(shù)上稍微落后于美光等公司。

芯研所采編

不過三星在下一代閃存上有望追回來，最快今年底明年初推出第八代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)首次超過200層，之前傳聞是228層，現(xiàn)在的說法是224層，相當于在128層基礎(chǔ)上再堆棧96層。

消息稱，三星的224層閃存性能也很不錯，數(shù)據(jù)速度提升了30%，同時生產(chǎn)效率也提高了30%。三星的224層閃存技術(shù)難度也很高，之前三星是唯一一家使用單堆棧技術(shù)實現(xiàn)128層閃存的公司，這次的224層則使用了雙堆棧技術(shù)，技術(shù)挑戰(zhàn)十分嚴峻。

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關(guān)鍵詞： 三星，固態(tài)，閃存