中關(guān)村在線消息：很多人難以區(qū)分NAND閃存的種類，于是三星半導(dǎo)體官方便發(fā)文進(jìn)行了一番科普。

三星半導(dǎo)體官方稱根據(jù)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)方式，NAND閃存可以分為四種類型: SLC (Single Level Cell，單層單元)、MLC (Multi Level Cell，多層單元)、TLC (Triple Level Cell，三層單元)和QLC(Quadra LevelCell，四層單元)。

為便于了解NAND閃存的類型和特點(diǎn)，我們首先需要了解存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)以及存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的空間“單元”(Cell)。如果將數(shù)據(jù)視為“人”,那么單元就是“半導(dǎo)體中的小房間”意即數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在單元里。

SLC是在一個(gè)單元里存儲(chǔ)一個(gè)數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)以“1"或“0”的形式進(jìn)行存儲(chǔ)，操作簡(jiǎn)單，錯(cuò)誤少速度快，相對(duì)穩(wěn)定。

MLC是在一個(gè)單元里存儲(chǔ)兩個(gè)數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)形式為“00、01、10、11”，價(jià)格相對(duì)便宜，但數(shù)據(jù)處理速度要慢一些。

TLC在一個(gè)單元中存儲(chǔ)三個(gè)數(shù)據(jù)，而QLC在一個(gè)單元中存儲(chǔ)四個(gè)數(shù)據(jù)。雖然可以存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，但由于存儲(chǔ)在一個(gè)單元中的數(shù)據(jù)量很大，因此與SLC和MLC相比，它們的數(shù)據(jù)處理速度會(huì)更慢一些。

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