據(jù)日媒報道， 日本鎧俠自2017年開始與半導(dǎo)體設(shè)備廠佳能，以及光罩、模板等半導(dǎo)體零組件制造商DNP合作，在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內(nèi)研發(fā)納米壓印微影技術(shù)(NIL)的量產(chǎn)技術(shù)，目前鎧俠已經(jīng)掌握了15nm的量產(chǎn)技術(shù)，并正在向15nm以下的工藝研發(fā)，預(yù)計2025年開始生產(chǎn)

相比于目前已實用化的極紫外光(EUV)工藝而言，NIL工藝不使用EUV光刻機，降低了設(shè)備投入成本，并且耗能更低，據(jù)稱NIL的耗電量可壓低至EUV生產(chǎn)方式的10%，并讓設(shè)備投資降低至40%。但是NIL在量產(chǎn)上仍有不少問題有待解決，包括更容易因細微塵埃而形成瑕疵等的問題。

鎧俠表示，已解決NIL的基本技術(shù)問題，正在完善量產(chǎn)技術(shù)，希望能率先引入NAND生產(chǎn)。而根據(jù)DNP說法，NIL技術(shù)電路精細程度可達5nm，DNP將從2021年春季起，根據(jù)設(shè)備的規(guī)格進行內(nèi)部仿真。