據(jù)外媒報(bào)道，全球最大存儲(chǔ)芯片制造商三星電子周二宣布，該公司開始使用極紫外光刻（EUV）技術(shù)批量生產(chǎn)業(yè)界最小的14納米DRAM芯片，這有助于其鞏固在存儲(chǔ)行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位。

繼去年3月出貨業(yè)界首款EUV DRAM之后，三星電子已將EUV層的數(shù)量增加到5層，為其DDR5解決方案提供當(dāng)今最精細(xì)、最先進(jìn)的DRAM生產(chǎn)工藝。

DDR5是下一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)，與DDR4相比，它具有速度快、密度高、功耗低的特點(diǎn)。        它還針對(duì)大數(shù)據(jù)、人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

三星電子表示，EUV技術(shù)減少了多圖案繪制中的重復(fù)步驟，提高了圖案繪制的準(zhǔn)確性，從而實(shí)現(xiàn)了更好的性能和更高的產(chǎn)量，并縮短了開發(fā)時(shí)間。