近日，國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心(以下簡稱國創(chuàng)中心)在京召開第一屆理事會第一次會議，標志著國創(chuàng)中心正式邁入實際運行階段。

會議審議了國創(chuàng)中心《理事會章程》《建設(shè)運行方案》《2022年工作重點及目標》《第三代半導體躍升工程行動計劃(建議稿)》，審議通過了第一屆理事長、副理事長、理事，專家委員會主任、成員，國創(chuàng)中心主任人選。

國創(chuàng)中心由科技部批復同意建設(shè)，旨在瞄準國家戰(zhàn)略需求，統(tǒng)籌全國優(yōu)勢力量，聚焦第三代半導體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應用方向，推進各類相關(guān)創(chuàng)新主體和創(chuàng)新要素有效協(xié)同，輸出高質(zhì)量科技創(chuàng)新成果，培育發(fā)展新動能，推動我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。

國創(chuàng)中心已布局深圳、南京、蘇州、湖南、山西、北京等6個區(qū)域中心，有效銜接政府支持和企業(yè)需求，聯(lián)合行業(yè)龍頭企業(yè)，協(xié)同全國50余家科研機構(gòu)，初步形成了“核心+基地+網(wǎng)絡(luò)”的創(chuàng)新格局。目前，國創(chuàng)中心已聚集第三代半導體領(lǐng)域多個院士團隊、50余名行業(yè)領(lǐng)軍人才，形成500多人規(guī)模的專職團隊。(記者王昊昊)

關(guān)鍵詞： 國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心邁入實際運行階段 第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升 聚焦第三代半導體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應用方向 輸出高質(zhì)量科技創(chuàng)新成果